美國通用電氣（GE）全球研究部一名華裔工程師，週四（5月28日）在紐約北區聯邦法庭承認竊取該公司商業機密罪名。（圖片來源：Getty Images）
【看中國2020年5月31日訊】（看中國記者文可伊綜合報導）美國通用電氣（GE）全球研究部一名華裔工程師，週四（5月28日）在紐約北區聯邦法庭承認竊取該公司商業機密罪名，將面臨最高10年的監禁、最高25萬美元罰款。
據The Daily Gazette報導，有關42歲的半導體工程師隋楊（Yang Sui，人名音譯），在庭上承認於2015年至2017年期間，從GE竊取了多個與「碳化矽」（MOSFET）的研究、設計和製造相關的電子文件。
此案由紐約北區聯邦法院法官Mae A.D’Agostino主審，他預計在今年9月22日對隋楊判刑。
據知，有關案件是由美國聯邦調查局（FBI）展開調查，後由聯邦助理檢察官和國家安全部審判律師起訴。
一旦「竊取商業機密罪」罪名成立，隋楊可能面臨最高10年的監禁、最高25萬美元或犯罪所得金錢收益兩倍的罰款之外，以及刑滿後最高三年監督釋放。
「碳化矽」（MOSFET）是一種金屬氧化物半導體場效應晶體管，可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。
報導引述起訴書，隋楊竊取的「碳化硅MOSFET」是GE用於各種零件和產品，包括航空設備和風力渦輪機。
據《世界日報》轉述，有媒體在領英網（LinkedIn）搜尋到「Yang Sui」的個人資料，根據個人頁面信息，隋楊在哈爾濱一所高中畢業後，1996年考上清華大學攻讀材料科學，過後來到美國的愛荷華州立大學（Iowa State University）和普度大學（Purdue University）攻讀碩士和博士學位。
隋楊本身填寫在修讀博士期間，曾出任普度大學中國學生學者聯誼會副會長；從2010年10月至2018年1月，他在位於紐約上州尼什卡納（Niskayuna）的通用集團全球研發中心擔任半導體裝置工程師。
通用電氣並非首次被旗下的華裔工程師竊取商業機密；隋楊案件是該公司近年來被揭露的商業秘密盜竊案之一。
在2014年，來自中國的電腦軟體工程師謝軍（Jun Xie，人名音譯），被控盜竊GE旗下醫療集團（GE Healthcare）的商業機密。
用H-1B工作簽證在美國工作謝軍，當時竊取了GE Healthcare 1.4 GB或240萬筆信息文件，包括工程設計、產品測試信息和業務戰略，私自發送給中國的親戚。謝軍被定罪後即被遞解出境。
2018年，相信出身於中共推動的「千人計畫」專才的工程師鄭小清（Xiaoqing Zheng），也是在紐約上州尼什卡納鎮被捕。
案發時，鄭小清在GE動力及水能（GE Power&Water）服務期間，用「隱寫術」竊取含有天然氣與蒸氣渦輪科技設計模型、工程圖及其它細節的電子檔，並將這些檔案寄給位於中國的商人張照曦（Zhaoxi Zhang，人名音譯）。
美國聯邦調查局過後發現鄭小清擁有中美雙重國籍。眾所周知，中國是不允許公民擁有雙重國籍，鄭小清為何在取得美籍後，還可以繼續保留中國公民身份的原因，目前仍然未知。
鄭小清案件仍在審理中，紐約北區聯邦法庭定於今年9月21日遴選陪審團審理此案。
